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SI4924DY中文资料

  • 大小：67.11KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：Asymetrical Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：5.3 A, 8.6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：22 mOhms, 10.5 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 下降时间：5 ns at Channel 1, 11 ns at Channel 2
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1 W, 1.25 W
  • 上升时间：5 ns at Channel 1, 11 ns at Channel 2
  • 工厂包装数量：100
  • 典型关闭延迟时间：26 ns at Channel 1, 58 ns at Channel 2

SI4924DY供应商

更新时间:2022-12-31 20:01:23
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